800MHzCMOS低噪声放大器的设计  

Design and Implementation of 800MHz CMOS LNA

作　　者：陈继新[1] 洪伟[1] 严蘋蘋[1] 殷晓星[1] 程峰[1] 

机构地区：[1]东南大学无线电工程系毫米波国家重点实验室,南京210096

出　　处：《微波学报》2005年第B04期107-111,共5页Journal of Microwaves

基　　金：国家自然科学基金重点项目(No. 90307016)资助

摘　　要：本文采用0. 25μmCMOS工艺,设计和研制了800MHz频段低噪声放大器。放大器采用共源共栅结构,芯片内部埋置了螺旋电感。放大器的增益为16. 4dB、噪声系数小于1. 3dB、工作电压2. 5V时,功耗为35mW。测试结果达到了设计指标,一致性良好。An 800MHz low noise amplifier has been designed and implemented in 0. 25μm CMOS process. The amplifier employs cascode structure, and spiral inductors on chip. The amplifier provides a forward gain of 16.4dB and a noise figure below 1.3dB, while consuming 35 mW from a 2.5V supply. The test results reach the design specifications and show good consistence.

关 键 词：低噪声放大器 CMOS 噪声系数 增益 1dB压缩点 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]