金刚石薄膜生长条件气相反应的动力学分析  

KINETIC STUDIES ON THE GAS PHAS ELEMENTARY REACTIONS IN CVD DIAMOND FILM ENVIREMENT 

作　　者：董夏兰[1] 李延欣 孙家钟[1] 

机构地区：[1]吉林大学理论化学研究所 原子与分子物理研究所

出　　处：《计算物理》1996年第4期439-444,共6页Chinese Journal of Computational Physics

基　　金：国家自然科学基金;国家基础研究重大关键性项目

摘　　要：建立一个金刚石薄膜生长条件下气相反应的化学模型，并对之进行了基于第一原理的动力学反应速度常数计算。结果表明，该模型所预言的气相浓度分布与实验定性一致。A gas phase elementary reaction mechanism of diamond growth by a vapor depostion process is proposed. The rate constants for all reactions included in the model have been computed using the species and their transition state parameters predicted by molecular orbital ab intio at HF/6 31G level The calculated results quantitatively agree with experimental data on the concentration of gas phase species and substrate temperature.

关 键 词：金刚石 薄膜 氢剥离 动力学分析 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学] TN304.18