Al-Mg-Si合金L1_0型GP区的价电子结构分析  

Analysis of Electron Structures of GP Zones with Model L1_0 in Al-Mg-Si Alloy

作　　者：王庆松[1] 王玉玲[1] 温新竹[1] 高英俊[1] 

机构地区：[1]广西大学物理科学与工程技术学院,广西南宁530004

出　　处：《华侨大学学报（自然科学版）》2006年第3期252-255,共4页Journal of Huaqiao University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50061001);广西壮族自治区科研基金资助项目(桂科基0342004-1)

摘　　要：运用固体经验电子理论(EET),对Al-Mg-Si合金L10型GP区的价电子结构进行计算.结果表明,合金基体析出的共格GP区具有比基体更强的共价键络,可提升合金的整体键络强度,并对位错运动造成更大的阻力,从而使得合金得到强化、硬化.The valence electron structures of the GP zones with model L10 in Al-Mg-Si alloy were calculated according to the empirical electron theory （EET） in solid. The results show that the valence bond-net in GP zones coherence with matrix was much stronger than that in matrix, and enhanced the whole covalence bond strength of alloy, besides blocked the movement of dislocation, therefore alloy was strengthened and hardened.

关 键 词：AL-MG-SI合金 GP区 价电子结构 固体经验电子理论 

分 类 号：TG146.2[一般工业技术—材料科学与工程] TG113.12[金属学及工艺—金属材料]