柔性衬底硅基薄膜太阳电池阻挡层的研究  

STUDY ON RESISTANCE LAYER OF SILICON-BASED THIN FILM SOLAR CELLS

作　　者：蔡宏琨[1] 张德贤[1] 冯凯[1] 齐龙茵[1] 宁豪[1] 王雅欣[1] 窦伟山[1] 孙云[1] 

机构地区：[1]南开大学信息技术科学学院,天津300071

出　　处：《太阳能学报》2006年第7期687-690,共4页Acta Energiae Solaris Sinica

基　　金：国家863高新技术研究发展计划(2002AA715081);国家973重点基础研究发展计划(ZM200202A01);南开大学人事处科研启动费

摘　　要：研究了不同厚度的ZnO阻挡层对柔性衬底倒结构太阳电池的性能及均匀性的影响。在此基础上,使用金属镍(Ni)代替ZnO作为背电极和硅基薄膜之间的阻挡层,改善了太阳电池的均匀性。在聚酰亚胺柔性衬底上采用PECVD法制备出了面积为4cm×4cm、重量比功率超过200W/kg的倒结构硅基薄膜太阳电池。The efficiency of ZnO resistance layer with different thickness to the performance and uniformity of solar cells has been investigated. Nickel films were deposited between the Al layers and n-μc-Si： H layers instead of traditional ZnO resistance layer, which improved the uniformity of solar cells. On the polyimide film substrate, the silicon-based thin film solar cell has achieved 200W/kg in power/weight by using plasma enhanced chemical vapor deposition.

关 键 词：金属镍(Ni) 氧化锌(ZnO) 聚酰亚胺 太阳电池 

分 类 号：TK51[动力工程及工程热物理—热能工程]