相变存储器器件单元测试系统  

Device Unit Test System on Phase Change Memory

作　　者：梁爽[1,2] 宋志棠[1,2] 刘波[1,2] 陈小刚[1,2] 封松林[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心纳米技术研究室,上海200050 [2]中国科学院研究生院,北京100039

出　　处：《半导体技术》2006年第8期614-617,共4页Semiconductor Technology

基　　金：中国科学院资助项目(Y2005027);上海市科委项目(0452nm012;04DZ05612;04ZR14154;04JC14080;05JC14076;AM0414;05nm05043;AM0517);美国SST公司资助

摘　　要：通过计算机控制脉冲信号发生器和数字信号源等硬件设备,实现对硫系化合物随机存储器(C-RAM)器件性能的测试。该系统主要有电流与电压关系测试、电压与电流关系测试、电阻与所加的脉冲信号关系的测试和疲劳特性测试等模块组成。通过这些测试从而找出写脉冲信号与擦脉冲信号的高度和宽度的最佳参数、C-RAM器件的阈值电压、循环寿命等重要参数。此系统不仅为研究C-RAM器件的速度、功耗、可靠性等提供了一个途径,又为C-RAM的工艺和结构参数的研究提供了试验平台。All the characteristics of C-RAM （chalcogenide-random access memory） can be tested through the system that remotes computer controlling the hardware device such as pulse generator and digital source meter etc. It includes several modules of the relationship between current and voltage, voltage and current, resistance and pulse width or height, fatigue characteristics. The optimum parameters of the current height and width as well as the threshold voltage, endurance cycles and so on can be obtained through all the tests. This system provides a method for researching the speed, power consumption, reliability of C-RAM, also provides a platform for studying the C-RAM process and structural parameter.

关 键 词：硫系化合物随机存储器 远程控制 测试系统 相变 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]