新型大规模三维均匀低温等离子源理论及设计  

Analysis and Design of a New Large Scale 3D Uniform Cold Plasma Source

作　　者：程方[1] 袁斌[1] 徐伟[1] 

机构地区：[1]上海交通大学电子工程系,上海200030

出　　处：《真空电子技术》2006年第3期17-20,共4页Vacuum Electronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60371022)

摘　　要：给出了一种新型大规模三维均匀低温等离子源的工作原理、设计参数和具体实现方案。它使传统感应等离子源由二维均匀转变为三维均匀成为可能,为新型大规模集成芯片加工设备———等离子铣提供了必要的理论及技术准备。A new large-scale 3D uniform cold plasma source is discussed in the paper. The principles, parameters and realization methods are presented. The design enables change from the 2 dimensions uniform TCP plasma source to 3 dimensions uniform plasma source. Such device provides a new feasible plasma source and denotes a new applied field for plasma in the industry of integrated chip manufactures.

关 键 词：横向磁化 三维均匀 等离子源 

分 类 号：O462.5[理学—电子物理学]