InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜导热系数测试  

作　　者：陈震[1] 杨决宽[1] 庄苹[1] 陈敏华[1] 朱健[2] 陈云飞[1] 

机构地区：[1]东南大学机械系教育部MEMS重点实验室,南京210096 [2]中国电子科技集团第五十五研究所,南京210096

出　　处：《科学通报》2006年第13期1601-1605,共5页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金（批准号：50275026,50475077,50505007,50506008）;国家重点基础研究发展规划（编号：2006CB300404）;江苏省自然科学基金（批准号：BK2002060）;教育部博士点基金（批准号：20050286019）;新世纪优秀人才支持计划（编号：NCET-04-0470）资助项目.

摘　　要：采用3ω方法在100～320 K温度范围内测试了不同周期长度的InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜的导热系数.结果表明对于周期性超晶格结构,随着温度的升高,热传导能力下降;比较周期长度不同的超晶格结构的测试结果,发现导热系数会随着周期长度的增大而减小,并在某一周期长度取得最小值,但随着周期长度的进一步增大,导热系数又出现上升趋势,表明在长周期超晶格结构中界面热阻是影响声子传输的主要因素.理论计算表明,对于短周期的超晶格结构,Bragg反射是造成产生最小值的原因之一,由于声子穿透率的下降,造成导热系数随着周期长度的增大而减小.理论与实验研究结果表明,随着周期长度的增大,声子的传输规律由声子的波动性过渡到粒子性,这对实现声子的剪裁具有重要意义,为设计超晶格结构提供理论基础.

关 键 词：3ω实验 导热系数 超晶格 薄膜 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]