微波场效应晶体管开关  

作　　者：刘扬英 

机构地区：[1]机电部二十九所

出　　处：《电子对抗技术》1989年第1期31-34,共4页

摘　　要：本文叙述了微波场效应晶体管(FET)开关的基本工作原理,重点讨论7.5～16.5GHz单刀三掷有源FET开关的设计考虑和设计方法。对于所设计的这种7.5～16.5GHz FET单刀三掷频段转换开关,测得的性能为:开关速度<60ns,插损为-4～+4dB,隔离≥20dB,插入增益为4dB。

关 键 词：微波 效应晶体管 开关 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]