低相位噪声毫米波单片压控振荡器的研制  

DEVELOPMENT OF MILLIMETER WAVE VCO MMIC WITH LOW PHASE NOISE

作　　者：陈继新[1] 洪伟[1] 殷晓星[1] 程峰[1] 严蘋蘋[1] 

机构地区：[1]东南大学毫米波国家重点实验室,江苏南京210096

出　　处：《红外与毫米波学报》2006年第4期271-274,共4页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家自然科学基金重点(No.90307016)资助项目

摘　　要：采用0．18um GaAs PHEMT工艺，设计和研制了毫米波压控振荡器．该压控振荡器采用反射式结构，并针对了我国本地多点分配业务（LMDS）频段进行了优化设计，芯片采用OMMIC ED02AH工艺实现，芯片的尺寸为1．2mm×0．8mm．实测性能指标为：在28．46GHz，该压控振荡器的输出功率为7．3dBm，偏移1MHz处的相位噪声为-101dBc／Hz，调谐范围为27．5～30．4GHz．A millimeter wave vokage-controlled oscillator （VCO） MMIC was designed and fabricated with 0. 18um GaAs PHEMT process. The VCO employs reflective structure, and is optimized at frequency band of local multipoint distribution service （LMDS） in China. The chip was fabricated with OMMIC ED02AH process. Its the size is 1.2mm × 0. 8mm. The measured output power of the MMIC VCO is 7.3dBm, the phase noise is - 101 dBc/Hz@ 1MHz at 28.46GHz, and the tuning range is 27. 5 - 30. 4GHz.

关 键 词：压控振荡器 砷化镓 毫米波 相位噪声 

分 类 号：TN713[电子电信—电路与系统]