钛酸锶铌基高介变阻器陶瓷的制备与表征  

Preparation and Characterization on the Nb Doped SrTiO_3 Based Varistor Ceramics

作　　者：李兴教[1] 鲍军波[1] 李少平 庄严[3] 顾豪爽[4] 袁润章[5] 

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074 [2]Advanced Recording Technology Laboratory Seagate Technology [3]广州通信研究所,广东广州510310 [4]湖北大学物电学院,湖北武汉430062 [5]武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北武汉430070

出　　处：《压电与声光》2006年第4期437-440,共4页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室基金资助项目(60371028)

摘　　要：采用铌掺杂的方法制备钛酸锶（STO）粉末，烧成钛酸锶基变阻器陶瓷。经电流-电压（I-V）特性和介电特性测试表明，多种掺杂的Nb-STO具有优异的性能，其介电常数很大，有良好的介电温度系数和频率系数，介电损耗小，压敏电压低，非线性系数大。全面给出了压敏电阻的9项指标，并与文献中的数值进行了比较。εeff高达（4～9）×10^5，具有良好的介电温度系数（｜αs｜〈0．3％）、频率系数（fr〈12％）和电压温度系数（｜k｜=0．2％）；介电损耗小（tanδ〈1％）；非线性系数大（α=4～10）；电流密度为1mA时的场强（E1 mA）值很低（0．3～2．9V／mm）；电压系数小于10％。Nb-doped strontium titanate （Nb-STO） varistor ceramics have been prepared by a powder method. With this method, the permittivity εeff of the multiple doping Nb-STO films have been greatly increased up to （4～9）×10^5 with good permittivity-temperature factor ｜αs｜〈0.3%, permittivity-frequency fackor fr 〈 12 %, and voltagetemperature factor ｜ k｜ =0.2% ; and dielectric loss is reduced as tan δ〈1%, dielectric nonlinear factor α=4-10; the field strength at a current density of 1 mA/mm^2 E1 mA = 0. 3- 2. 9 V/mm. Voltage coefficient is less than 10%. These values are better than those in other reference papers.

关 键 词：SrTiO3变阻器陶瓷 铌掺杂 I-V特性 介电性质 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]