IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术  被引量:5

Insulating Driving Technique for IGBT & MOSFET

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作  者:王华彪[1] 陈亚宁 

机构地区:[1]北京交通大学,北京100044 [2]北京落木源电子技术有限公司,北京100044

出  处:《电源世界》2006年第7期56-58,共3页The World of Power Supply

摘  要:开关电源中功率管的驱动对电源的工作意义重大,因而开关电源中功率器件驱动电路的设计一直是电源领域的关键技术之一。本文介绍了绝缘栅大功率器件的各种不同驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。Kinds of driving technique for IGBT & MOSFET are introduced in this article. And the characteristics of drivers sold in current market are also presented.

关 键 词:!MOSFET IGBT 隔离驱动 光电耦合器 脉冲变压器 

分 类 号:TM92[电气工程—电力电子与电力传动]

 

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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