一种制造快速晶闸管的P型双质掺杂技术  

作　　者：刘秀喜[1,2] 薛成山[1,2] 孙瑛 王显明[1,2] 陈刚 赵玉仁[1,2] 

机构地区：[1]山东师范大学半导体所 [2]山东济宁硅元件厂

出　　处：《山东师范大学学报（自然科学版）》1996年第4期35-39,共5页Journal of Shandong Normal University(Natural Science)

基　　金：山东省自然科学基金

摘　　要：阐述了受主杂质在Ｓｉ中的扩散行为，快速晶闸管制造中的Ｐ型区掺杂工艺设计原理、掺杂方法和杂质浓度分布，并给出了该项技术在工艺生产线上应用结果．通过实验和应用表明，该项技术具有先进性和可行性。

关 键 词：晶闸管 扩散行为 P型双质掺杂 掺杂 

分 类 号：TN340.53[电子电信—物理电子学]