多孔氧化铝的整流特性研究  

Rectifying Properties of Porous Anodic Alumina

作　　者：石明吉[1] 李清山[1] 赵波[1] 李修善[2] 石礼伟[3] 

机构地区：[1]曲阜师范大学物理工程学院 [2]曲阜师范大学生命科学学院,山东省曲阜市273165 [3]中科院半导体所半导体材料科学重点实验室,北京市100083

出　　处：《曲阜师范大学学报（自然科学版）》2006年第3期69-72,共4页Journal of Qufu Normal University(Natural Science)

基　　金：山东省自然科学基金(Y2002A09)

摘　　要：在温度0℃下,采用阳极氧化法分别在15%wt的硫酸水溶液、0.3 mol/L的草酸水溶液和0.3mol/L的磷酸水溶液中制备了多孔氧化铝薄膜.电压分别为18 V、40 V和90 V,氧化时间是1 h.利用扫描电子显微镜(SEM)对多孔氧化铝薄膜的结构形貌进行了表征,测量了Al/Al2O3界面的电流电压(I-U)特性曲线,并对多孔铝整流特性的机理进行了分析,很好地解释了交流电沉积的原因.随着科技的发展,人类将通过利用多孔铝的整流特性制备出各种各样的性能优良的材料和器件.Porous Alumina Oxide （PAO） thin films are prepared by the anodization of aluminium sheets in 15%wt sulfuric acide aqueous solution, 0. 3 mol/L oxalic acide aqueous solution and phosphorus acide aqueous solution at 0 ℃ under a constant voltage of 18 V .40 V and 90 V for 1 h, respectively. Scanning electronic microscopy （SEM） is employed to analyze the morphology of the samples. The I-U curve of Al/ Al2O3 interface is measured and the mechanism of rectifying properties is analyzed. The reason that metal could be deposited in PAO by AC is given properly. With the development of science and technology, new kinds of useful materials and devices will be made with porous anodic alumina.

关 键 词：多孔氧化铝 阳极氧化法 整流特性 

分 类 号：O482.3[理学—固体物理]