1.55μm DFB LD光栅结构的优化设计  

Optimization Design of Grating Structure for 1.55μm DFB LD

作　　者：韩威[1] 陈国鹰[1] 安振峰[2] 花吉珍[2] 赵润[2] 孟桂超[1] 

机构地区：[1]河北工业大学信息工程学院,天津300130 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《半导体光电》2006年第4期390-392,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：模拟分析了不同结构下二级光栅的特性,研究了光栅结构对分布分馈半导体激光器(DFB LD)空间烧孔以及光谱线宽的影响。最终给出优化后的光栅结构。优化后器件的阈值电流为11 mA,边模抑制比达到40 dB,最小线宽105 kHz,很好地抑制了空间烧孔效应。The second order gratings with different structures are studied. The influences of grating structures on spatial hole burning and linewidth are analyzed. The optimized DFB LDs with threshold current of 11 mA,side mode suppression ratio （SMSR） of 40 dB and minimum linewidth of 105 kHz are obtained,and the spatial hole burning effect is well suppressed.

关 键 词：半导体激光器 光栅结构 耦合系数 线宽 空间烧孔 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]