不同生长条件下Ag/SiO_x纳米结构形态的演变  

作　　者：张晓娜[1] 张泽[2] 

机构地区：[1]北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京100022 [2]中国科学院物理研究所电镜实验室,北京100080

出　　处：《电子显微学报》2006年第B08期37-38,共2页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.50272081);国家973项目(No.2002CB613500)

关 键 词：结构形态 纳米材料 生长条件 SIOX 演变 AG 纳米结构 物理机制 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学] TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]