弯曲生长SiC纳米线的TEM表征  

作　　者：张跃飞[1] 韩晓东[1] 郑坤[1] 刘显强[1] 张泽[1] 郝雅娟[2] 郭向云[2] 

机构地区：[1]北京工业大学固体微结构研究所,北京100022 [2]中国科学院山西煤化所国家煤炭转化重点实验室,山西太原030001

出　　处：《电子显微学报》2006年第B08期44-45,共2页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：国家973项目(No.2002CB613500).

关 键 词：Β-SIC TEM表征 纳米线 宽带半导体材料 生长 弯曲 一维纳米材料 集成电子器件 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]