Y掺杂BaTO_3中异常长大机理的TEM研究  

作　　者：郑士建[1] 艾延龄[1] 马秀良[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,辽宁沈阳110016

出　　处：《电子显微学报》2006年第B08期79-80,共2页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：国家杰出青年基金资助项目(No.50325101);国家重点基础研究发展规划(973)项目(2002CB613503)资助

关 键 词：Y掺杂 长大 异常 BATIO3基 机理 高分辨透射电子显微镜 TEM PTCR效应 

分 类 号：TM28[一般工业技术—材料科学与工程]