ZrC和ZrB_(2)掺杂对PIT法制备MgB_(2)带材的影响  

作　　者：马衍伟[1] 高召顺[1] 

机构地区：[1]中国科学院电工研究所,北京100080

出　　处：《科学通报》2006年第16期1958-1960,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50472063)资助项目.

摘　　要：采用ZrC和ZrB2掺杂在常压条件下制备了MgB2/Fe超导带材.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、电测和磁测等手段,重点研究了ZrC和ZrB2掺杂对超导带材组织和性能的不同影响.结果显示,ZrC掺杂导致带材临界电流密度的降低,临界转变温度保持不变;ZrB2掺杂则显著提高了带材高场下的临界电流密度,而临界转变温度略微下降了0.5K.实验结果表明,采用ZrB2掺杂原位PIT技术可制备出具有高临界电流密度的MgB2带材.

关 键 词：MGB2 超导线材 粉末套管法 临界电流密度 掺杂 

分 类 号：TM26[一般工业技术—材料科学与工程]