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机构地区:[1]西安电子科技大学,西安710071 [2]东北电子技术研究所,锦州121000 [3]华中科技大学激光技术国家重点实验室,武汉430074
出 处:《电子与信息学报》2006年第9期1758-1760,共3页Journal of Electronics & Information Technology
摘 要:该文采用高斯光束辐照半无限固体的温升模型,研究了探测器表面温升与激光干扰和损伤阈值的变化关系。发现脉冲CO2激光对探测器的干扰和损伤与脉宽无关,只与脉冲能量密度有关,探测器表面温升与入射激光脉冲能量密度成正比关系,干扰阈值比损伤阈值要低一个数量级。通过理论分析,求出了干扰和损伤星载HgCdTe探测器所需CO2激光的脉冲能量。定性分析结果表明高平均功率重频脉冲激光更容易对星载探测器造成有效干扰和永久性损伤。A semi-infinite thermal model is presented which describes temperature rise in photoelectric detector under pulsed laser irradiation. The laser disturbance and damage thresholds with the detector's temperature rise are analyzed. The results show the disturbance and damage of detector are independent of the CO2 laser pulse-width, only depend directly on the energy density, at the same time, the disturbance threshold is one order lower than damage threshold. A numeric analysis about pulse co2 laser irradiating satellite-borne HgCdTe detector is given. The feasibility of high average repetitive pulse laser disturbance and damage satellite-borne detector is qualitatively analyzed.
分 类 号:TN249[电子电信—物理电子学] TN362
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