A Passive Low-Pass Filter on Low-Loss Substrate  

低损耗衬底上实现无源低通滤波器(英文)

作　　者：方杰[1] 刘泽文[1] 赵嘉昊[2] 陈忠民[1] 韦嘉[1] 刘理天[1] 李志坚[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子研究所,北京100084 [2]清华大学材料科学与工程系,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第9期1572-1577,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：教育部211工程资助项目~~

摘　　要：The loss mechanisms of different passive devices （on-chip inductors and capacitors） on different substrates are analyzed and compared. OPS （oxidized porous silicon） and HR （high-resistivity） substrates are used as low-loss substrates for on-chip planar LPF （low pass filter） fabrication. For the study of substrate loss, a planar coil inductor is also designed. Simulation results show that Q （the quality factor） of the inductor on both substrates is over 20. Measurements of the LPF on OPS substrate give a - 3dB bandwidth of 2.9GHz and a midband insertion loss of 0.87dB at 500MHz. The LPF on HR substrate gives a - 3dB bandwidth of 2.3GHz and a midband insertion loss of 0.42dB at 500MHz.分析比较了不同种类衬底上无源器件(片上电感和电容)的损耗机理,在OPS(氧化多孔硅)和HR(高阻硅)低损耗衬底上分别实现了片上低通滤波器.为了研究衬底损耗,设计了平面螺旋电感,其Q值在两种衬底上的仿真结果都超过了20.在OPS衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.9GHz,通带插入损耗在500MHz为0.87dB;在HR衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.3GHz,通带插入损耗在500MHz为0.42dB.

关 键 词：LC low-pass filter low-loss substrate on-chip inductor RF 

分 类 号：TN713[电子电信—电路与系统]