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机构地区:[1]清华大学微电子所,北京100084
出 处:《Journal of Semiconductors》2006年第9期1676-1680,共5页半导体学报(英文版)
摘 要:针对片上系统测温及其过温保护问题,提出了一种基于CMOS亚阈值特性制造的低功耗温度传感器.CSMC0.6μm数模混合工艺仿真表明,其在-50~150℃的温度范围内,都能良好工作,且因为运放负反馈结构对电源电压具有较高的抑制,在2~6V的范围内都能得到正确的输出结果.芯片实测,温度灵敏度为0.77V/℃.因为基于CMOS亚阈值特性产生了电路的偏置电流,所以工作电流仅16μA.芯片面积300μm×250μm.该传感器的特性表明它非常适用于高容量的集成微系统中.在计算机、汽车电子、生物医学等领域有着广阔的应用前景.The design of a compatible wide-range low-power smart temperature sensor based on the CMOS sub-threshold characteristic is presented for the purpose of on-chip temperature measure and protection from overheating. Simulated with CSMC 0.6μm mixed-signal CMOS technology,the circuit works well over the temperature range from - 50 to 150℃. For the amplifier feedback,it has a high power supply rejection ratio under VDD from 2 to 6V. Measurements support the simulation result. The temperature sensitivity is 0.77V/℃. The power dissipation of the sensor is 16μA because the bias current is generated by the CMOS sub-threshold characteristic. The chip area is 300μm × 250μm. The characteristics of this sensor make it especially suitable for low-cost high-volume integrated microsystems over a wide range of fields,such as computer, automotive, and biomedical.
关 键 词:温度传感器 温度保护电路 电源电压抑止比 温度灵敏度
分 类 号:TP212.11[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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