超突变结变容管容压变化指数的研究  

C-V Index n of Hyperabrupt Varactors

作　　者：吴春瑜[1] 朱长纯[1] 

机构地区：[1]辽宁大学电子科学与工程系,西安交通大学电子工程系

出　　处：《微电子学与计算机》1996年第2期11-12,56,共3页Microelectronics & Computer

基　　金：自然科学基金

摘　　要：应用改进的超突变结变容管杂质分布模型，对以杂质分布的不同参数值为特征的容压变化指数ｎ进行了数值计算并绘成了关系曲线图。C-V index n for a improved impurity profile model of hyperabrupt Visractors has been computed numerically for differnt values of the parameters characterizing impurity profile and this results have been ploted graphically.The applications of the result in the design of varactors has been indicated.

关 键 词：容压变化指数 变容二极管 工艺参数 

分 类 号：TN312.1[电子电信—物理电子学]