制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应  

GIANT MAGNETO-IMPEDANCE EFFECTS OF AS DEPOSITED FeZrBNi SANDWICHED FILMS

作　　者：袁慧敏[1] 姜山[1] 王文静[1] 颜世申[1] 萧淑琴[1] 

机构地区：[1]山东大学物理与微电子学院,济南250100

出　　处：《金属学报》2006年第9期971-973,共3页Acta Metallurgica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目G2001CB610603

摘　　要：用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/ReZrBNi三层膜,对制备态样品进行了磁阻抗测量．结果表明,样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8MHz；在此频率下,样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%．这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能．同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系．Giant magneto-impedance （GMI） effects of FeZrBNi/Ag/FeZrBNi sandwiched films prepared by radio frequency sputtering on the substrate of single crystal Si have been measured. The maximum GMI ratios are 18% and 31% in longitudinal and transverse fields at 7 MHz and 8 MHz, respectively. Corresponding, the maximum effective susceptibility ratios are 153% （at 7 MHz） and 5117% （at 8 MHz） for longitudinal and transverse cases, respectively, indicating that the as-deposited FeZrBNi/Ag/FeZrBNi films have good soft magnetic properties and GMI effect.

关 键 词：巨磁阻抗效应 FeZrBNi三层膜 掺杂 

分 类 号：O482.54[一般工业技术—材料科学与工程]