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作 者:刘普霖[1] 陆卫[1] 陆晓峰[1] 陈张海[1] 石晓红[1] 史国良[1] 龚海梅[2] 胡晓宁[2] 徐国森[2] 沈杰[2]
机构地区:[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室 [2]中国科学院上海技术物理研究所
出 处:《红外与毫米波学报》1996年第5期358-362,共5页Journal of Infrared and Millimeter Waves
摘 要:测量了n-Hg1-xCdxTe(x=0.2-0.3)在4.2K下的磁光电导光谱,观察到与杂质、缺陷有关的光电导峰,研究了它们随磁场的变化。The infrared magneto photoconductivity (PC) spectra of n type Hg 1-x Cd xTe(x=0.2 ̄0.3) were measured. Several PC peaks related with impurities and defects were observed at 4.2K under different magnetic field. The physical mechanism of these PC peaks and the chemical origins of some acceptor levels and resonance states in the conduction band were discussed.
分 类 号:TN213[电子电信—物理电子学] TN211
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