炭素材料硅化开裂原因探讨  

作　　者：余克勋 

机构地区：[1]东碳都江堰分厂

出　　处：《电碳》1996年第3期5-8,共4页

摘　　要：本文从理论与实际的结合上探讨了炭素材料硅化开裂的原因，指出开裂的真正原因是碳素基材与碳化硅材料的热膨胀系数的差异，解决开裂问题必须研制或选用热膨胀系数在（３８￣５．２）×１０＾－６Ｋ＾－１范围内的炭素基材。

关 键 词：炭素材料 硅化处理 缺陷 

分 类 号：TQ127.11[化学工程—无机化工]