AFM在不同参数下实现阳极氧化纳米加工  

Anodic Oxidation Nano-Fabrication at Different Parameters by AFM

作　　者：孙志[1] 秦水介[1] 

机构地区：[1]贵州大学贵州省光电子技术及应用重点实验室,贵阳550025

出　　处：《半导体技术》2006年第10期751-753,757,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金(50375031);教育部优秀青年教师资助计划(教人司[2003]355);春晖计划(教外司留[2003]591);贵州省国际科技合作项目(黔科合国字2004)11004);贵州省高层次人才特助经费资助项目(2003年度);贵州省优秀科技教育人才省长专项资金项目(2004年度)

摘　　要：用原子力显微镜(AFM)研究了电场诱导氧化理论以及偏置电压和脉冲时间对加工结构尺寸的影响。通过实验得出了偏压、脉冲时间越大,加工尺寸越大的结论。并总结出氧化加工Si较好的参数范围。The theory of field-induced oxidation and the impact of bias voltage and pulse time on the nanofabrication were studied by AFM. According to the experiments, it is obvious that the bias voltage and pulse time are in direct proportion to oxide dimension. The proper bias voltage and pulse time range for oxidizing Si film were achieved.

关 键 词：AFM针尖诱导阳极氧化 Si氧化点 偏置电压 脉冲时间 

分 类 号：TN305.5[电子电信—物理电子学] O484.1[理学—固体物理]