快速热处理多孔硅的蓝光发射  

作　　者：赵毅[1] 杨德仁[1] 林磊[1] 阙端麟[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室

出　　处：《科学通报》2006年第17期2091-2093,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60225010)资助.

摘　　要：对多孔硅样品进行了各种气氛下(氮气、氩气、氧气和空气)的快速热处理(rapidthermalprocess,RTP).测试了RTP处理前和处理后多孔硅样品的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外光谱(FTIR).在400℃以上RTP处理后的多孔硅样品的PL谱中有4个蓝光发射峰.峰的位置不随RTP处理温度和气氛改变而变化.由于RTP处理的氧化作用,减小了多孔硅中纳米硅粒的尺寸,使得PL谱中出现蓝光发射峰.从理论计算可以估算出硅粒尺寸和发光峰位置的关系,而且只有特定尺寸的硅粒才有可能出现,因此PL谱的峰的位置不随RTP温度和气氛而改变.

关 键 词：多孔硅 蓝光发射 快速热处理 

分 类 号：O482.31[理学—固体物理]