TiO_2压敏陶瓷势垒高度的测定  

The Barrier Height Measurement of TiO_2 Varistor Ceramics

作　　者：孟凡明[1] 

机构地区：[1]安徽大学信息材料与器件重点实验室,安徽合肥230039

出　　处：《压电与声光》2006年第5期613-614,共2页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：安徽省教育厅科研基金项目(2005KJ224);安徽大学教学研究基金项目(X200521);安徽大学信息材料与器件重点实验室基金项目

摘　　要：基于典型的陶瓷工艺制备试样。压敏陶瓷可视为双向导通的二极管,将适用于齐纳二极管的半导体理论应用于TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷。测量了低压下的电流-电压(I-V)特性,根据lnJs与E1/2关系曲线的拟合直线的的截距得出了TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷的势垒高度。Sample was prepared by the typical ceramics technics. The semiconductor theory about the conduction of zener diode was appled to the TiO2-SrCO3-Bi2 O3-SiO2-Ta2 O5 varistor ceramics since it was analogous to two back to back diodes. The I-V characteristic was measured at the low voltage region. The barrier height of TiO2 SrCO3- Bi2 O3-SiO2-Ta2 O5 varistor ceramics was determined by the intercept of the lnJ5-E^1/2 plot.

关 键 词：压敏陶瓷 势垒高度 热发射 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学] TN379