纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻  

LATTICE DILATION AND ANOMALOUS EXCESS RESISTANCE IN NANOCRYSTALLINE MATERIALS

作　　者：秦荣山[1] 周本濂[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所,中国科学院国际材料物理中心

出　　处：《金属学报》1996年第10期1093-1096,共4页Acta Metallurgica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：利用Ｌａｎｄａｕｅｒ理论研究了纳米材料晶体部分的晶格畸变对材料电阻率的贡献．推导出Ｌａｎｄａｕｅｒ电阻率与晶格膨胀率的关系．数值计算表明，纳米金属材料的电阻率随晶格膨胀率的增加而非线性升高．The contribution of dilated lattice constant of nanocrystal to the resistivity is investigated by using the Landauer formula.The relationship between Landauer resistivity and crystal dilation is given.Numerical calculation shows that the resistivity is increasing nonlinearly as the dilation growing.

关 键 词：晶格畸变 电阻 纳米材料 反常过剩电阻 

分 类 号：O48[理学—固体物理]