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作 者:黄丽群[1] 刘艳珠[1] 杨长剑[1] 易春[1] 刘坚[1] 高希存[1]
机构地区:[1]南昌大学理学院化学系
出 处:《功能材料与器件学报》2006年第5期451-455,共5页Journal of Functional Materials and Devices
基 金:教育部留学基金(No.Z-02873);江西省教育厅基金(No.Z-02803)
摘 要:以4,4′-联萘胺为母体,以最常用的空穴传输材料N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-联苯胺(α-NPD)为样板,合成了新型空穴传输材料N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-联萘胺(α-NPN)。通过核磁共振氢谱和元素分析进行了结构表征。差热分析测定其玻璃化温度(Tg)达到128℃。相对于α-NPD,α-NPN的吸收光谱和光致发光光谱都发生了红移。循环伏安法测定其氧化电势为1.20V,比α-NPD的1.02V稍高。该化合物可发明亮的蓝色荧光(461 nm),积分球测定其薄膜荧光量子效率为8.5%,比α-NPD的5.5%高。初步确定α-NPN可作为有机电致发光空穴传输材料。With 4,4'-naphthidine as a parent compound and N, N'-di (α-naphthyl) - N, N'-diphenyl - 4,4'-benzidine (α-NPD) as a model, N, N'-di (α-naphthyl) - N, N'-diphenyl - 4,4'-naphthidine ( α- NPN) was synthesized and characterized by I HNMR and EA. Determined by DSC, α-NPN has a higher glass transition temperature ( Ts = 128℃ ) than that of α-NPD. The absorption and thin film photoluminescence spectra of α-NPN red - shifts relative to those of α-NPD. Its oxidation potential, determined by cyclic voltammetry in solution, is 1.20V, higher than 1.02V of α-NPD. Additionally,α-NPN thin film emits bright blue fluorescence (461 nm) with a quantum efficiency of 8.5%, higher than that of α-NPD (5.5%). The structure -property analyses prove that ot-NPN potentially serve as a good hole -transport material.
关 键 词:空穴传输材料 N N’-二(α-萘基)-N N’.二苯基-4 4’-联萘胺(α-NPN) 玻璃化温度 量子效率 氧化电势
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