铀与UO2表面铝薄膜生长行为的俄歇电子能谱分析  

作　　者：周韦 刘柯钊 杨江荣 肖红 陆雷 蒋春丽 

出　　处：《中国工程物理研究院科技年报》2004年第1期272-273,共2页Annual Report of China Academy of Engineering Physics

摘　　要：主要利用俄歇电子能谱（AES）原位分析了室温下铀与UO2表面铝薄膜的生长行为。在俄歇电子能谱仪超高真空室中，利用Ar^＋枪溅射铝靶，使其沉积到铀基体上，然后利用电子枪适时采集表面俄歇电子能谱，原位分析铝薄膜的生长过程。在UO2表面沉积铝膜时，先往真空室中充入氧气，将清洁铀表面氧化成UO2，然后再溅射铝靶原位沉积制备铝薄膜。

关 键 词：表面沉积 生长行为 铝薄膜 UO2 电子能谱分析 俄歇电子能谱仪 铀 原位分析 

分 类 号：TN204[电子电信—物理电子学]