大功率固态调制器组元电路设计与实验  

Cell circuit design and test of a high power solid state modulator

作　　者：尚雷[1] 谭泓[1] 丛晓艳[1] 陆业明[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029

出　　处：《核技术》2006年第10期787-790,共4页Nuclear Techniques

基　　金：国家自然科学基金面上项目(10475073)资助

摘　　要：文章介绍了用于直线加速器的大功率固态调制器组元电路设计,电路中采用了3.3kVIGBT及大尺寸纳米晶磁环,磁环采用国产材料,在施加偏磁情况下磁芯伏秒数达到0.006。介绍了驱动电路、反向吸收、偏磁等辅助电路。最后给出了动态磁性能测量结果及组元电路主要波形。The cell circuit design and test of a high power solid state modulator for linac application are presented in the paper. The 3.3 kV IGBT and large dimension nanocrystalline core are used in the cell circuit design. The driving, protection, reverse energy absorbing and bias circuit are also presented. Dynamic magnetic performance of the core and the waveforms of the cell circuit are measured.

关 键 词：感应叠加固态调制器 纳米晶磁环 组元电路 

分 类 号：TL503.5[核科学技术—核技术及应用]