日本产业技术综合研究所开发金属SWCNT浓缩技术  

作　　者：杨晓婵（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2006年第10期13-13,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：日本产业技术综合研究所纳米技术研究部一研究小组成功地利用过氧化氢在短时间内将单层碳纳米管（SWCNT）中的半导体SWCNT除去，使金属SWCNT含量达80％。透明导电薄膜ITO被用于液晶显示器，但由于铟资源稀少从而使成本增加。SWCNT作为可替代ITO的透明导电薄膜材料，近来比较引人注目。但市售的SWCNT中金属SWCNT的含量只有33％左右，而电流不易通过的半导体SWCNT含量较高。由于不能获得优异的导电性能，因此其电导率还未达到实用水平。

关 键 词：日本产业技术综合研究所 浓缩技术 金属 透明导电薄膜 开发 单层碳纳米管 液晶显示器 过氧化氢 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]