双微分全控器件门驱动电路的设计与研究  

作　　者：吴浚浩[1] 

机构地区：[1]韩山师院物理与电子工程系,广东潮州521041

出　　处：《宜春学院学报》2006年第4期32-35,共4页Journal of Yichun University

摘　　要：新型的电力电子器件MOSFET和IGBT克服了传统的电力电子器件如SCR只能开通不能关断的缺陷.但关断速度依然限制开关速度的提高.本文给出了一个用于驱动全控开关器件的门驱动电路.整个电路系统主要由双微分驱动电路、DC-DC电源变换电路、光耦合隔离电路等三部分组成.它只使用一个12V直流电源能得到稳定可靠的双微分驱动效果,能明显地加速开关器件关断过程中门极存储电荷的释放,有利于提高全控器件的开关速度、减少开关损耗.

关 键 词：双微分门极驱动 开关速度 DC—DC电源变换器 

分 类 号：TM13[电气工程—电工理论与新技术]