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作 者:张建华[1] 彭太平[1] 胡孟春[1] 王振通[1] 赵广军[2]
机构地区:[1]中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳621900 [2]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800
出 处:《人工晶体学报》2006年第5期1057-1060,共4页Journal of Synthetic Crystals
摘 要:用波长为266nm的激光激发不同尺寸、不同掺Ce^3+浓度的YAP:Ce闪烁晶体,测量其光致激光荧光衰减常数,测量结果表明:YAP:Ce闪烁晶体的光致荧光衰减常数约为18.2ns,且与实验晶体厚度及Ce^3+掺杂浓度(0.1%~0.6%原子分数)无关。In this paper laser excited (excitation at 266nm) fluorescence decay constants of YAP: Ce scintillation crystals with different sizes and various Ce^3+ dopant concentrations were measured. The results revealed that the laser excited fluorescence decay constant of YAP:Ce scintillator crystal is about 18.2ns, and the decay time is independent of its size and doped concentration of Ce^3+ within the range from 0.1 at% to 0.6at%.
关 键 词:YAP:Ce闪烁晶体 激光 衰减常数 指数拟合
分 类 号:TL812[核科学技术—核技术及应用] TL816
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