并行演化算法在半导体器件综合中的应用  

Semiconductor Device Synthesis with Parallel Evolutionary Algorithm

作　　者：张文俊[1] 谢晓锋[1] 马君[2] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084 [2]西安财经学院计算机与科学系,陕西西安710061

出　　处：《微电子学与计算机》2006年第10期87-89,共3页Microelectronics & Computer

摘　　要：文章将并行演化算法应用于半导体器件综合,根据半导体工艺与器件综合的特点选用了主从式孤岛模型,并分析了参数对性能和加速比的影响。Device synthesis is realized by applying parallel evolutionary algorithm （PEA） in this paper. According to the characteristics of send-conductor process and device we choose the master -slave island model and analyze the influence of the parameter to the performance and ratio of acceleration.

关 键 词：器件综合 并行演化算法 孤岛模型 

分 类 号：TP31[自动化与计算机技术—计算机软件与理论] TN3[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]