电子设备退化分析的新方法  

A new method for analyzing the reliable film device degradation

作　　者：马书懿[1] 陈海霞[1] 张汉谋[1] 

机构地区：[1]西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃兰州730070

出　　处：《兰州大学学报（自然科学版）》2006年第5期106-108,共3页Journal of Lanzhou University(Natural Sciences)

基　　金：国家自然科学基金(60276015);教育部重点基金(204139);甘肃省教育厅研究生导师基金(0501-04);甘肃省高分子材料重点实验室开放基金(KF-05-03)资助项目

摘　　要：偏压浸透模型是基于对实际薄膜设备退化的分析而提出的,研究的是类似于薄膜退化过程的导体向绝缘体或半导体的转化过程,并对标准浸透模型和偏压浸透模型做一对比,进一步说明偏压浸透模型更适合于分析实际薄膜的退化．The biased percolation model is proposed for analyzing the reliable film device degradation, The conductor-insulator or semiconductor-like degradation process and the difference of two models are considered in this paper. The purpose is to illuminate that the biased percolation model is more suitalbe for analyzing the device degradation.

关 键 词：薄膜缺陷 标准浸透模型 偏压浸透模型 

分 类 号：O77[理学—晶体学] O484.5