掺镁铌酸锂亚微米结构畴反转的研究  

Research on the submicron domain inversion structure of MgO:LiNbO_3

作　　者：闫卫国[1] 陈云琳[1] 王栋栋[1] 郭娟[1] 张光寅[1] 

机构地区：[1]南开大学物理学院教育部弱光非线性光子学材料先进技术及制备实验室

出　　处：《物理学报》2006年第11期5855-5858,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60544004;90501004);天津市自然基金;长江学者及高校创新团队项目资助的课题.~~

摘　　要：研究了掺镁铌酸锂(MgO:LiNbO3)的极化特性及其畴壁运动的性质,通过调节多个脉冲外加电场来控制畴壁的运动,在背向反转效应作用下,反转畴发生劈裂,制备出均匀的掺镁铌酸锂亚微米周期畴结构,并分析探讨了掺镁铌酸锂亚微米结构的成因及其反转机理.We have investigated the periodic poling characteristics of MgO ： LiNbO3 and properties of the domain wall velocity. Based on back-switching reaction, domain-inverted velocity can be accurately controled by multi-impulse electric field, which can be used to fabricate MgO ： LiNbO3 with submicron uniform periodical structure. At the same time, we studied the cause of formation and the mechanism of submicron domain-inverted structure.

关 键 词：亚微米畴结构 掺镁铌酸锂 背向反转 

分 类 号：O482[理学—固体物理]