中能质子在Si和GaAs中导致的非电离能损研究  

Non-ionizing Energy Loss of Middle Energy Proton in Si and GaAs

作　　者：罗文芸[1] 王朝壮[1] 贺新福[1] 樊胜[1] 黄小龙[2] 王传珊[1] 

机构地区：[1]上海大学射线应用研究所,上海201800 [2]中国原子能科学研究院核物理研究所,北京102413

出　　处：《高能物理与核物理》2006年第11期1088-1090,共3页High Energy Physics and Nuclear Physics

基　　金：国家自然科学基金(1035021)资助~~

摘　　要：非电离能损(NIEL)引起的位移损伤效应是空间装置失效的原因之一．运用改进的Monte Carlo程序SHIELD,建立了质子的NIEL计算手段,模拟计算了能量范围在10-400MeV的中能质子在硅和砷化镓中的NIEL的大小和分布．The displacement damage effects due to Non-ionizing Energy Loss （NIEL） is one reason of device-malfunction in Space. The NIEL induced by proton with energies from 10MeV to 400MeV in Si and GaAs have been calculated using updated Monte-Carlo code SHIELD.

关 键 词：质子 非电离能损 硅 砷化镓 

分 类 号：O571.4[理学—粒子物理与原子核物理]