大功率半导体激光器腔面镀膜的理论研究  

Theoretical Study of High Power Semiconductor Lasers Cavity Surface Film

作　　者：辛国锋[1] 陈国鹰[2] 陈高庭[1] 瞿荣辉[1] 方祖捷[1] 花吉珍[3] 赵润[3] 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800 [2]河北工业大学信息工程学院,天津300130 [3]中电集团公司第十三研究所光电专业部,河北石家庄050051

出　　处：《中国材料科技与设备》2006年第6期57-60,共4页Chinese Materials Science Technology & Equipment

摘　　要：从平面波假设出发推导了多层薄膜的特性矩阵，得到了膜系的反射率计算公式。研究了腔面反射率对大功率半导体激光器的外量子效率、阈值增益和输出功率比的影响，并给出了整个膜系反射率随膜层的光学厚度、折射率差及其层数的变化趋势。该模型对半导体激光器的腔面膜层设计具有实际的指导意义。The characteristic matrix of the muti - layer film is deduced by plane wave hypothesis, and then the calculated formula of the fdm reflectivity is got. The influence of cavity surface reflectivity to external efficiency, threshold gain and the output power ratio of the high power semiconductor lasers are studied, the changed trend of the total film reflectivity with its optical thickness, refractive index and the layer numbers are given. The model has an actual direction to the design of the semiconductor lasers＇ film.

关 键 词：大功率半导体激光器 腔面镀膜 光学厚度 平面波 反射率 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]