一种低压低温漂的CMOS带隙基准源  

A Curvature-Corrected CMOS Bandgap Reference

作　　者：肖明[1] 吴玉广[1] 唐华[1] 张上洋[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子所

出　　处：《微计算机信息》2006年第11Z期304-306,共3页Control & Automation

基　　金：军事电子预研基金项目(编号不公开)

摘　　要：基于标准0.35umCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,与传统采用PTAT电压作为温度曲率校正电压相比,获得了一个电路结构简单,性能更好的带隙基准源。使用Hspice进行仿真,仿真结果表明电路可以在-20-100℃范围内,平均温度系数约2ppm/℃,工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。The design of curvature correction temperature compensation bandgap reference circuit use the first order temperature compensation bandgap reference voltage as a curvature voltage.and get a better circuit than usually use a PTAP voltage as a curvature voltage,which is fabricated with 0.35um CMOS technology, The bandgap reference has a average temperature coefficient of 2ppm/℃, and a power supply rejection ratio of -90dB.

关 键 词：带隙基准源 曲率校正 温度系数 电源抑制比 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]