一种CMOS低压带隙基准电路的分析与设计  

Analysis and Design of a CMOS Low-Voltage Bandgap Reference Circuit

作　　者：姚建楠[1] 吴金[1] 黄晶生[1] 

机构地区：[1]东南大学无锡分校,江苏无锡214028

出　　处：《微电子学与计算机》2006年第11期81-83,共3页Microelectronics & Computer

基　　金：无锡市自然科学基金项目(CK040005)

摘　　要：不同于常规电压求和带隙基准,电流求和是实现低压基准的主要方法。文章重点分析了一种负温度系数电流的生成方法,基于电流求和模式,设计了一种简单且无运放的电压基准结构,其输出最大基准值为1.1V,功耗为7μA。Current Summing is the basic method to realize low-voltage reference which is different from that of conventional voltage mode. A current generation principle with negative temperature coefficients is analyzed in details. Based on current mode, a brief voltage reference circuit without Operational Amplifier is presented. The maximum output bandgap voltage is about 1.1V, and the total current is within 7μA.

关 键 词：带隙基准 电流模式 PPAT 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]