铅掺杂对钛酸锶钡铁电薄膜性能的影响  

Effect of Pb-dopant on the Dielectric Properties of BST Thin Films

作　　者：丁士华[1] 杨晓静[2] 

机构地区：[1]西华大学材料科学与工程学院 [2]西华大学能源与环境学院,四川成都610039

出　　处：《西华大学学报（自然科学版）》2006年第6期1-3,共3页Journal of Xihua University:Natural Science Edition

基　　金：国家973计划项目(编号:2002CB613302);校人才引进项目(编号:R0620109)

摘　　要：采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了未掺杂和掺铅的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了铅的加入对BST薄膜的结构和电学性能的影响。实验结果表明:随着铅的加入量的增加,BST薄膜的晶粒尺寸增大;在同一频率下,介电常数呈增大趋势。在测试频率低于50kHz时,介电常数和介电损耗急剧降低。Undoped and Pb-doped BST thin films were fabricated on Pt/Ti/SiO_2/Si(100) substrate using sol-gel method.The dielectric properties of BST thin films were investigated.The results obtained show that the grain size and the dielectric constant of BST thin films increase with the increase in the content of Pb.The dielectric constant and loss decrease when the frequency is lower than 50kHz.

关 键 词：掺杂 介电常数 介电损耗 

分 类 号：TN384[电子电信—物理电子学]