背腐蚀在晶体硅太阳电池生产中的应用  

作　　者：苦史伟[1] 孙铁囤[1] 刘志刚[1] 汪建强[1] 安静[1] 叶庆好[1] 

机构地区：[1]上海交通大学物理系太阳能研究所

出　　处：《中国建设动态（阳光能源）》2006年第6期53-55,共3页

摘　　要：背腐蚀可以用来代替生产中通常使用的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的p-n结分开。本文中背腐蚀使用了HF-HNO3体系,没有表面保护。用扫描电镜(SEM)观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅/铝界面情况,分析了背反射和内量子效应IQE。用背腐蚀代替等离子刻蚀后晶体硅太阳电池的ISC、VOC和电池效率都得到了提高。

关 键 词：背腐蚀 SEM 背反射 IQE 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]