FIFO存储电路的设计与实现  被引量:3

Design and Realization of FIFO Memory Electrocircuit

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作  者:龙娟[1] 杨银堂[1] 乐立鹏 马城城 

机构地区:[1]西安电子科技大学,陕西西安710071 [2]航天时代电子公司民芯公司,陕西西安710054

出  处:《微电子学与计算机》2006年第12期115-117,共3页Microelectronics & Computer

基  金:国家自然科学基金项目(90407016)

摘  要:文章介绍了一个正向设计,并已成功流片的FIFO存储器电路结构设计及关键技术,重点研究了实现该电路的两类关键技术,存储电路和控制逻辑。文中的设计思想和具体的逻辑电路可以通用于所有先进先出存储器的设计。In this paper, we discuss a FIFO memory electrocircuit, which is designed from the top down and have been fabricated successfully. Simultaneously we sum up the realization of two pivotal technology:RAM array and control logic. The idea of design and material logic circuit can be used in all the designs of First-In/First Out memory.

关 键 词:先进先出存储器 空满标志 深度扩展 

分 类 号:TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]

 

参考文献:

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引证文献:

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