检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]西安电子科技大学,陕西西安710071 [2]航天时代电子公司民芯公司,陕西西安710054
出 处:《微电子学与计算机》2006年第12期115-117,共3页Microelectronics & Computer
基 金:国家自然科学基金项目(90407016)
摘 要:文章介绍了一个正向设计,并已成功流片的FIFO存储器电路结构设计及关键技术,重点研究了实现该电路的两类关键技术,存储电路和控制逻辑。文中的设计思想和具体的逻辑电路可以通用于所有先进先出存储器的设计。In this paper, we discuss a FIFO memory electrocircuit, which is designed from the top down and have been fabricated successfully. Simultaneously we sum up the realization of two pivotal technology:RAM array and control logic. The idea of design and material logic circuit can be used in all the designs of First-In/First Out memory.
分 类 号:TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]
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