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作 者:唐新桂[1] 刘秋香[1] 王杰[2] 陈王丽华[2]
机构地区:[1]广东工业大学物理与光电工程学院广州市大学城,广州510006 [2]香港理工大学应用物理系
出 处:《物理学进展》2006年第3期500-504,共5页Progress In Physics
基 金:省自然科学基金(05001825;04300168);广州市科技计划项目(2006Z3-D0211)资助
摘 要:Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)陶瓷,其铁电相变温度接近室温。对BZT陶瓷的电场诱导相变进行了研究,结果表明介电常数随着电场的增加而减小,预示着电场诱导相变行为。电场强度影响陶瓷的介电常数峰值的位置,并且在广泛温度范围内影响介电常数的大小。介电常数峰值位置随电场的变化量ΔTm与电场满足如下关系:ΔTm^E2/3,说明BZT发生了类似的二级相变行为。The nature of field-induced transition in Ba(Zr0. 2 Ti0. 8 )O3 (BZT) ceramics is studied. BZT ceramics were chosen because the ferroelectric transition temperature is very near to the room temperature. The BZT ceramics is found to exhibit diffuse phase transition behaviors. The dielectric constant is decreased with increasing the dc bias field, indicating a field-induced phase transition. The dc bias field has a strong effect on the position of the dielectric peak and affects the magnitude of the dielectric properties over a rather wide temperature range. The dc bias field dependence of the temperature of the dielectric peak follows the △Tm-E^2/3 relation, suggesting the ceramics undergo a second-order transitionlike behavior.
分 类 号:TM282[一般工业技术—材料科学与工程]
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