Cr掺杂半导体CdTe的半金属铁磁性研究  

Study on the Half-metallic Ferromagnetism of Cr-doped Semiconductor CdTe

作　　者：陈志远[1] 高国营[2] 

机构地区：[1]咸宁学院物理系,咸宁437005 [2]华中科技大学物理系,武汉430074

出　　处：《材料导报》2006年第12期119-120,123,共3页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金项目(50272022);武汉市青年科技晨光计划项目(20045006071-40)

摘　　要：采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波赝势(PWPP)方法和全势线性缀加平面波(FPLAPW)方法研究了Cr掺杂半导体CdTe的电子结构和磁性。通过对自旋极化的态密度、磁矩以及铁磁态和反铁磁态的总能量的分析,理论预测到Cr掺杂半导体CdTe是一个半金属铁磁体,其在半导体自旋电子学中应该有一定的应用。The electronic structure and the magnetism of Crdoped semiconductor CdTe are studied by the phane-wave pseudopotential method and the full-potential linearized augmented plane-wave method based on the density functional theory. Spin-polarized density of states, magnetic moment and total energy in the ferromagnetic and antiferromagnetic states are calculated. The calculations indicate that Cr doped semiconductor CdTe is a half-metallic ferromagnet,and therefore Crdoped CdTe should be useful in semiconductor spintronics.

关 键 词：半金属铁磁体 密度泛函理论 电子结构 

分 类 号：TM27[一般工业技术—材料科学与工程] O482[电气工程—电工理论与新技术]