Sb_2Te_3纳米薄膜的ECALE法制备  

作　　者：郜鲜辉[1] 杨君友[1] 朱文[1] 侯杰[1] 鲍思前[1] 樊希安[1] 段兴凯[1] 

机构地区：[1]华中科技大学模具技术国家重点实验室,武汉430074

出　　处：《中国科学（E辑）》2006年第11期1273-1282,共10页Science in China(Series E)

基　　金：国家基础研究重大项目前期研究(2004CCA03200);国家自然科学基金(批准号:50401008);华中科技大学研究生创新基金资助项目

摘　　要：研究了利用电化学原子层外延法(electrochemical atomic layer epitaxy,ECALE)在Pt电极上生长Sb2Te3化合物半导体薄膜热电材料的过程.采用循环伏安扫描分别研究了Te和Sb在Pt衬底上以及在覆盖了一层元素之上的电沉积特性,在此基础上使用自动沉积系统交替电化学沉积了400个Te和Sb原子层.采用XRD,FESEM和FTIR等多种分析测试手段对沉积薄膜的结构、形貌、禁带宽等进行了表征.XRD结果表明,沉积物是Sb2Te3化合物,与EDX定量分析和电量计算结果吻合;FESEM对薄膜表面及断面形貌检测表明沉积颗粒排列紧密、大小均匀,平均粒径约为20nm,薄膜均匀平坦,膜厚约190nm;由于沉积薄膜的纳米结构,FTIR吸收谱出现蓝移,测得Sb2Te3薄膜禁带宽为0.42eV.

关 键 词：Sb2Te3 电化学原子层外延(ECALE) 热电材料 纳米薄膜 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]