偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响  

Effect of the reverse voltage to the Si-PIN detector

作　　者：曹学蕾[1] 王焕玉[1] 张承模[1] 陈勇[1] 杨家伟[1] 梁晓华[1] 汪锦州[1] 高旻[1] 张家宇[1] 马国峰[1] 

机构地区：[1]中国科学院高能物理研究所粒子天体物理中心,北京100049

出　　处：《核电子学与探测技术》2006年第6期796-800,共5页Nuclear Electronics & Detection Technology

基　　金：探月一号卫星X射线谱仪项目资助

摘　　要：偏置电压对Si-PIN型半导体探测器将产生两方面的影响。偏置电压越高,结电容越小;另一方面,偏置电压越大,探测器的漏电流就越大。而探测器的结电容,漏电流是影响谱仪系统能量分辨率的最重要的因素。结合一些实验结果,从两个方面来讨论偏置电压对于由Si-PIN探测器构成的X射线谱仪能量分辨率的影响,以及探测器偏置电压的合理选取原则。Reverse voltage can cause two obvious changes of a Si-PIN detector. The detector terminal capacitance reduces and dark current increases when the reverse voltage increases, while both terminal capacitance and dark current are the most important aspects that affect the performance of the Si-PIN detectors. We will discuss the relationship between the reverse voltage and energy resolution of a spectrometer based on Si-PIN detector, and determine some principle of selecting the reverse voltage.

关 键 词：SI-PIN探测器 偏置电压 能量分辨率 

分 类 号：TL814[核科学技术—核技术及应用]