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作 者:杜凤娟[1] 张曰理[1] 刘毅[1] 阳生红[1]
机构地区:[1]中山大学光电材料与技术国家重点实验室//物理科学与工程技术学院,广东广州510275
出 处:《中山大学学报(自然科学版)》2006年第6期125-127,共3页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni
基 金:国家自然科学基金资助项目(50372085);广东省科技计划资助项目(2004B60303001)
摘 要:用化学溶液法在P-S i(100)衬底上制备出了一系列不同退火温度的B i3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜。通过X-射线衍射、扫描电镜及椭偏光谱测量研究,得到了一系列BLT薄膜结晶状况、表面形貌及光学常数谱。其结果显示:BLT薄膜表面均匀、致密,没有裂纹;随着退火温度的升高BLT薄膜晶化越来越好,当退火温度为690℃时,BLT基本完全晶化;非晶态的BLT薄膜折射率明显低于晶态BLT薄膜的折射率,随着BLT薄膜退火温度的增加,薄膜折射率n增大且其消光系数k也略有增加。BLT thin films were prepared on P-type Si(100) substrates by chemical solution deposition(CSD).Crystalline and morphological evaluation were examined by X ray diffraction(XRD) and scanning electron microscope(SEM).Their optical constants(refractive index,and absorption coefficient) were obtained by spectroscopic ellipsometry.The results indicate that the BLT films were specular,crack-free and crystalline after annealing over 550℃.The refractive index n of amorphous BLT films is less than that of crystalline BLT films.The refractive index n of the BLT thin films increase with rise of annealing temperature and the extinction coefficient k of the BLT thin films increase a little with rise of annealing temperature.
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